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J-GLOBAL ID：200903097565144447
金属プラグ形成後の表面処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232409
Publication number (International publication number)：1994204191
Application date： Aug. 24, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、金属プラグを形成した後、アフターコロージョンを発生させる要因を除去することで、金属プラグに接続する配線の品質の向上を図る。【構成】 絶縁膜13に設けたコンタクト孔14内に金属プラグ17を形成した後、金属プラグ17の表面や絶縁膜13の表面を、水素原子を含む還元性のガスとして、例えば水素ガスまたはアンモニアガスをプラズマ化した雰囲気、あるいは水をプラズマ化した雰囲気にさらすことによって、それぞれの表面に付着した不要物21を除去する方法である。または、希ガスをプラズマ化してそれぞれの表面をスパッタリングすることによって、不要物を除去する方法である。上記各表面処理において、基板を50°C以上650°C以下の温度に加熱することも可能である。
Claim (excerpt)：
基板上の絶縁膜に設けたコンタクト孔内と当該絶縁膜上とに金属膜を形成した後、前記金属膜をエッチバックすることによって前記コンタクト孔内のみに当該金属膜を残して金属プラグを形成し、その後前記金属プラグの表面および前記絶縁膜の表面に付着した不要物を除去する表面処理方法において、前記不要物の除去を、水素原子を含む還元性のガスをプラズマ化した雰囲気にさらすことによって行うことを特徴とする金属プラグ形成後の表面処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, H01L 21/28
, H01L 21/318
