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J-GLOBAL ID：200903097569309033

遷移金属カルコゲニドの配向多結晶質薄膜

Inventor： レシェフ テンネ ,  ゲイリー ホデス ,  レブ マルグリス
Applicant, Patent owner： イエダ リサーチ アンド デベロツプメント カンパニー リミテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993169194
Publication number (International publication number)：1995069782
Application date： Jul. 08, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 排他的に又は殆ど排他的にII型構造として配向した半導体遷移金属二カルコゲニドの多結晶質薄膜及びそれらの薄膜を製造する方法。【構成】 基体上に希望の配向の層状構造を持つ遷移金属カルコゲニド又はその混合物の多結晶質薄膜を製造する方法において、基体上に遷移金属材料又はその混合物の層を付着させ、そして前記層を一種類以上のカルコゲン材料を含むガス状雰囲気中で前記遷移金属材料と前記カルコゲン材料とが反応し、配向多結晶質薄膜を形成するのに充分な時間加熱する、ことからなる多結晶質薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

基体上に希望の配向の層状構造を持つ遷移金属カルコゲニド又はその混合物の多結晶質薄膜を製造する方法において、(a) 基体上に遷移金属材料又はその混合物の層を付着させ、そして(b) 前記層を一種類以上のカルコゲン材料を含むガス状雰囲気中で、前記遷移金属材料と前記カルコゲン材料とが反応し、配向多結晶質薄膜を形成するのに充分な時間加熱する、ことからなる多結晶質薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C30B 19/00 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  C23C 18/00 ,  C30B 7/12 ,  C30B 23/02 ,  C30B 29/48