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J-GLOBAL ID:200903097570516581

多孔質ニッケル皮膜を形成する方法、ならびに関連の物品および成分

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 松本 研一 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  荒川 聡志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007096077
Publication number (International publication number):2007324120
Application date: Apr. 02, 2007
Publication date: Dec. 13, 2007
Summary:
【課題】 多孔質ニッケル皮膜を形成する方法(10)が提供される。【解決手段】 この方法(10)は、ワイヤアーク溶射装置において、選択された成分の2つの消耗電極ワイヤを溶解し噴霧して、溶解され噴霧された材料を形成するとともに材料を基板に向けて皮膜堆積を形成することによって基板に皮膜を堆積させるステップ(12)であって、選択された成分がニッケルおよび犠牲金属を含むステップと、アルカリ電解質中に陽電位を加えることにより、皮膜堆積から犠牲金属の少なくとも一部を分解して(14)多孔質ニッケル皮膜を得るステップとを含む。多孔質ニッケル皮膜を含む電極を有する電解セル(40)が提供される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
多孔質ニッケル皮膜を形成する方法(10)であって、 ワイヤアーク溶射装置において、選択された成分の2つの消耗電極ワイヤを溶解し噴霧して、溶解され噴霧された材料を形成するとともに前記材料を前記基板に向けて皮膜堆積を形成することによって基板に皮膜を堆積させるステップ(12)を含み、 前記選択された成分がニッケルおよび亜鉛を有し、 更に、アルカリ電解質中に陽電位を加えることにより、前記皮膜堆積から前記亜鉛の少なくとも一部を分解して(14)多孔質ニッケル皮膜を得るステップを含む、方法。
IPC (8):
H01M 4/88 ,  C25F 3/02 ,  C23C 4/08 ,  C25B 11/03 ,  B01J 37/02 ,  B01J 23/80 ,  H01M 4/90 ,  B01J 25/02
FI (9):
H01M4/88 K ,  C25F3/02 B ,  C23C4/08 ,  C25B11/03 ,  B01J37/02 301Q ,  B01J37/02 301J ,  B01J23/80 Z ,  H01M4/90 M ,  B01J25/02 Z
F-Term (43):
4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC35A ,  4G169BC35B ,  4G169BC68A ,  4G169BC68B ,  4G169CB02 ,  4G169EA08 ,  4G169FA04 ,  4G169FA05 ,  4G169FB22 ,  4G169FB42 ,  4K011AA07 ,  4K011AA11 ,  4K011AA17 ,  4K011AA49 ,  4K011BA02 ,  4K011BA08 ,  4K011DA01 ,  4K031AA08 ,  4K031AB02 ,  4K031CA02 ,  4K031CB21 ,  4K031CB23 ,  4K031CB26 ,  4K031CB31 ,  4K031CB39 ,  4K031DA03 ,  4K031EA10 ,  5H018AA06 ,  5H018AA07 ,  5H018AS01 ,  5H018AS03 ,  5H018BB07 ,  5H018BB17 ,  5H018DD01 ,  5H018DD10 ,  5H018EE02 ,  5H018EE04 ,  5H018HH05 ,  5H018HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
  • 米国特許第4,024,044号明細書
  • 米国特許第4,169,025号明細書
  • 米国特許第4,342,792号明細書
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Cited by examiner (4)
  • 特開昭62-013588
  • 特公昭31-006611
  • 特開昭63-190156
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