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J-GLOBAL ID：200903097570727990
窒化物半導体レ-ザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999254362
Publication number (International publication number)：2000196201
Application date： Sep. 08, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【目的】 波長が400nmから540nm、特に430nmから540nmのレーザを発振させる際、高い発光効率を維持した窒化物半導体レーザ素子を提供する。【構成】 窒化物半導体により形成され、活性層の両側に光ガイド層、更にクラッド層が設けられたレーザ素子において、n側、p側の両光ガイド層のInの混晶比を高くすることで屈折率を高くして、n側、p側の両クラッド層との屈折率差を大きくする。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体により形成され、活性層の両側に光ガイド層、更にクラッド層が設けられたレーザ素子において、前記光ガイド層は、p側の光ガイド層はMgドープの第1の窒化物半導体とアンドープの第2の窒化物半導体とからなる多重構造を有し、n側の光ガイド層はアンドープの第3の窒化物半導体とアンドープの第4の窒化物半導体とからなる多重構造を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S 5/343
, H01L 33/00 C
