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J-GLOBAL ID：200903097573873636

3-5族化合物半導体レーザーの製造方法

Inventor： 小野 善伸 ,  家近 泰
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997073717
Publication number (International publication number)：1998190152
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザーに必須の互いに平行な端面からなる光共振器構造を再現性よく、大面積にわたって、短時間に簡単に製造できる3-5族化合物半導体レーザーの製造方法を提供する。【解決手段】一般式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体薄膜の積層構造からなる半導体レーザーの製造方法において、ウエットエッチングによって形成される膜表面に直角な面を、半導体レーザーの共振器として利用することを特徴とする3-5族化合物半導体レーザーの製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体薄膜の積層構造からなる半導体レーザーの製造方法において、ウエットエッチングによって形成される膜表面に直角な面を、半導体レーザーの共振器として利用することを特徴とする3-5族化合物半導体レーザーの製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/308 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/308 C ,  H01L 33/00 C