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J-GLOBAL ID：200903097592289600

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 根井 正美 ,  北園 俊郎 ,  大中原 繁壽 ,  前田 俊秀
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999357252
Publication number (International publication number)：2001177158
Application date： Dec. 16, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フリップチップ型の発光素子の主光取出し面からの光を白色に波長変換する樹脂層の層厚を最適化して純粋な白色発光が得られる半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 光透過性の基板3aの表面に化合物半導体を積層し、この化合物半導体の表面側にp側及びn側の電極3c,3bを形成し、これらのp側及びn側の電極3c,3bを実装面に導通搭載し且つ前記基板の裏面側を主光取出し面としたフリップチップ型の半導体発光素子3を含む半導体発光装置であって、少なくとも基板3aの主光取出し面を、波長変換用の蛍光物質を含有した光透過性の波長変換層6によって被覆し、この波長変換層6の表面を主光取出し面と平行となるように研磨創成する。

Claim (excerpt)：

光透過性の基板の表面に化合物半導体を積層し、前記化合物半導体の表面側にp側及びn側の電極を形成し、前記p側及びn側の電極を実装面に導通搭載し且つ前記基板の裏面側を主光取出し面としたフリップチップ型の半導体発光素子を含む半導体発光装置であって、少なくとも前記基板の主光取出し面を、波長変換用の蛍光物質を含有した光透過性の波長変換層によって被覆し、前記波長変換層の表面を前記主光取出し面と平行となるように研磨創成したことを特徴とする半導体発光装置。

FI (3)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E

F-Term (14)：

5F041AA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76 ,  5F041CA91 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18 ,  5F041DA44 ,  5F041DB09 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-192135   Applicant：松下電子工業株式会社
• 発光素子及び発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-315971   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平3-028800