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J-GLOBAL ID：200903097594038494

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 鈴木 清昭 ,  内田 健
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992033880
Publication number (International publication number)：1993235211
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体封止樹脂の無機充填剤として、熱伝導率が 0.03cal/cm・sec・°C以上のウイスカーと外周面が連続面のみで形成されている平均粒径が50μm以下の無機粉末とを配合比が体積比で9:1〜5:5の範囲内となるように配合する。【効果】 極めて放熱性の高い樹脂封止型半導体装置を実現することができる。

Claim (excerpt)：

樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分とする半導体封止樹脂によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、無機充填剤として熱伝導率が 0.03cal/cm・sec ・°C以上のウイスカー及び外周面が連続面のみで形成されている平均粒径が50μm以下の無機粉末が配合され、前記ウイスカーと無機粉末との配合比が体積比で9:1〜5:5の範囲内であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 7/02 NLD ,  C08K 7/16 NLD ,  C08L 63/00