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J-GLOBAL ID：200903097595402599

アッシング装置及びその処理方法

Inventor： 西川 清子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992154960
Publication number (International publication number)：1993347282
Application date： Jun. 15, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、アッシング装置及びその処理方法に係わり、アッシング処理に寄与する酸素原子ラジカルを減少させることなく、高速で且つ一定のアッシングレートを得ることを目的とする。【構成】 プラズマ中の中性ラジカルを用いて、被処理基板2表面のレジストを除去するアッシング装置において、少なくとも酸素ガスを供給するガス供給口4と、ガス排出口5とを備えた処理室1と、所定圧力に減圧された処理室1内で該酸素ガスをプラズマ化し、酸素原子ラジカルを発生させる手段と、その酸素原子ラジカルを冷却する冷却手段9,10とを有するように構成する。

Claim (excerpt)：

プラズマ中の中性ラジカルを用いて、被処理基板(2)表面のレジストを除去するアッシング装置において、少なくとも酸素ガスを供給するガス供給口(4)と、ガス排出口(5)とを備えた処理室(1)と、所定圧力に減圧された該処理室(1)内で該酸素ガスをプラズマ化し、酸素原子ラジカルを発生させる手段と、該酸素原子ラジカルを冷却する冷却手段(9,10)とを具備することを特徴とするアッシング装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-260631
  
• 特開昭63-127537
  
• 特開平1-302821