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J-GLOBAL ID：200903097597331044
シリコン単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172237
Publication number (International publication number)：1994056588
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：
【要約】【目的】 OSF、転位クラスタの発生をなくし、酸化膜耐圧特性の高く良質な半導体ウエーハを得る。【構成】 チョクラルスキ法により直径100mm以上のシリコン単結晶を製造する際に、最大引上げ速度を0.8mm/min以下とし、平均引上げ速度を上記最大引上げ速度の70%以上の範囲としたシリコン単結晶の製造方法。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキ法により直径100mm以上のシリコン単結晶を製造する際に、最大引上げ速度を0.8mm/min以下とし、平均引上げ速度を前記最大引上げ速度の70%以上の範囲としたことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
, H01L 21/208
