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J-GLOBAL ID：200903097597917960

n型SiC用オーミック電極とその製造方法

Inventor： 星野 泰三 ,  西川 猛 ,  寺田 敏行 ,  坂本 光
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996088069
Publication number (International publication number)：1997283738
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 n型SiCのオーミック電極における接触抵抗の低減、耐熱安定性の向上を図る。【解決手段】 n型SiC1上にHf、Ta、TiもしくはZrの窒化物の単体または混合物2を配し、その上に窒素が暫時変化する遷移層3を配し、その上にHf、Ta、Ti、Zr、VもしくはWの単体または混合物4を配してなるオーミック電極。

Claim (excerpt)：

n型SiC半導体装置のオーミック電極において、SiC上にHf、Ta、Ti若しくはZrの窒化物の単体または混合物からなる膜を配し、該膜上にHf、Ta、Zr、Ti、V若しくはWの単体または混合物からなる金属を配したことを特徴とするオーミック電極。

IPC (3)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (5)：

H01L 29/46 R ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/46 F