半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002189368
Publication number (International publication number)：2004031864
Application date： Jun. 28, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】SiC領域を含む半導体基板を用いた半導体装置において、界面準位密度が低減されたMIS型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体領域を含む基板にMISFETのソースあるいはドレイン電極、あるいはMIS構造のキャパシタの半導体領域の電極を形成する工程と、その半導体領域を含む基板を清浄化する工程と、その基板上に上記のMISFETのゲート絶縁膜あるいは上記のキャパシタのキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、その上に電極を形成する工程と、前記電極の引き出し線を形成する工程とを含む半導体装置の製造において、ゲート絶縁膜あるいはキャパシタ絶縁膜を形成する工程を、その基板温度が950°C以上のいずれかの予め決められた温度に設定され、1mTorr(0.133ミリPa)から50Torr(6.65Pa)の圧力範囲に保たれた原子状酸素を含む雰囲気で行なう。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体領域を含む基板に絶縁ゲート型トランジスタのソースあるいはドレイン電極、あるいは金属-絶縁膜-半導体領域構造のキャパシタの半導体領域の電極を形成する工程と、その半導体領域を含む基板を清浄化する工程と、その基板上に上記のトランジスタのゲート絶縁膜あるいは上記のキャパシタのキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜あるいはそのキャパシタ絶縁膜上に電極を形成する工程と、前記電極の引き出し線を形成する工程とを含む半導体装置の製造において、ゲート絶縁膜あるいはキャパシタ絶縁膜を形成する工程を、その基板温度が950°C以上のいずれかの予め決められた温度に設定され、1mTorr(0.133ミリPa)から50Torr(6.65Pa)の圧力範囲に保たれた原子状酸素を含む雰囲気で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78

FI (8)：

H01L21/316 S , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301Q , H01L29/78 658F

F-Term (19)：

5F058BA11 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF56 , 5F058BF60 , 5F058BF61 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AC39 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140CE10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-099224 Applicant：三洋電機株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-310865 Applicant：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-326936 Applicant：株式会社デンソー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

4H-SiCの(11-20)面に形成されたMOS構造の界面特性

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