化学的に接近可能な表面を有するケイ素ナノクリスタルを調製するための高収率方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003530027
Publication number (International publication number)：2005503984
Application date： Sep. 19, 2002
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

化学的に接近可能な表面を有するケイ素ナノクリスタルが、溶液中で高収率で生成される。四塩化ケイ素(SiCl4)のようなテトラハロゲン化ケイ素が、1,2-ジメトキシエタン(グライム)のような有機溶媒中で、ナトリウムナフタレニドのような可溶性の還元剤を用いて還元されて、ハロゲン化末端(例えば、塩化物末端)を有するケイ素ナノクリスタルが得られ得、これは次いで、アルキルリチウム、グリニャール試薬または他の試薬で容易に官能基化されて、空気および水分に安定な表面を有する、容易に処理されるケイ素ナノクリスタルが得られ得る。この合成は、アルキル末端を有するナノクリスタルを、周囲の温度および圧力で、高収率で調製するために使用され得る。2工程プロセスは、広範な表面官能基を可能にする。

Claim (excerpt)：

ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、以下の工程: ハロゲン化ケイ素および第1の還元剤を、第1の有機溶媒中で接触させて、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成する工程;ならびに該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第2の還元剤を、予め選択された末端基と共に、第2の有機溶媒中で接触させて、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成する工程、を包含する、方法。

IPC (1)：

C01B33/023

FI (1)：

C01B33/023

F-Term (13)：

4G072AA01 , 4G072BB20 , 4G072HH07 , 4G072HH08 , 4G072JJ08 , 4G072JJ09 , 4G072JJ44 , 4G072JJ46 , 4G072LL13 , 4G072LL15 , 4G072RR04 , 4G072TT01 , 4G072TT02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特公昭33-010764
特公昭36-008416
特開昭57-196716

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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