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J-GLOBAL ID：200903097616110836

太陽電池の製法

Inventor： 三島 孝博 ,  清水 洋昭 ,  横山 敬志
Applicant, Patent owner： 大同ほくさん株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256380
Publication number (International publication number)：1999097726
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】簡便かつ低コストでPN接合の完全な分離を行うことができ、効率よく太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】P型もしくはN型の半導体基板11上のPN接合分離予定部に、SiO2 ゾル-ゲルペースト12を塗工し硬化させることによりSiO2 マスクを形成する工程と、上記SiO2 マスクが形成された基板11に対しドーピングを行うことにより、PN接合を、上記SiO2 マスク形成部において分離した状態で形成する工程と、上記分離されたPN接合の各部位にそれぞれ電極を形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板にPN接合が形成され、P型層とN型層のそれぞれに外部取り出し用の電極が接続された太陽電池の製法であって、P型もしくはN型の半導体基板上のPN接合分離予定部に、マスク用塗工材を塗工し硬化させることによりマスクを形成する工程と、上記マスクが形成された基板に対しドーピングを行うことにより、PN接合を、上記マスク形成部において分離した状態で形成する工程と、上記分離されたPN接合の各部位にそれぞれ電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製法。

FI (2)：

H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-281302   Applicant：シャープ株式会社