Pat

J-GLOBAL ID：200903097642489479

超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置

Inventor： 伊藤 佳孝 ,  岡 徹雄 ,  柳 陽介 ,  吉川 雅章
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996249148
Publication number (International publication number)：1998074623
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大きなサイズの超電導体を着磁する場合においてもコンパクトな装置で着磁することができる,超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置を提供すること。【解決手段】 超電導遷移温度TC 以下の温度に冷却した超電導体10に,着磁コイル4により発生するパルス磁場を印加することにより,超電導体10を着磁する方法である。着磁コイル4は,超電導体10の着磁方向の片側もしくは両側に対向して配設しておき,着磁コイル4から発生するパルス磁場を超電導体10の着磁方向から印加する。

Claim (excerpt)：

超電導遷移温度TC 以下の温度に冷却した超電導体に,着磁コイルにより発生するパルス磁場を印加することにより,上記超電導体を着磁する方法において,上記着磁コイルは,上記超電導体の着磁方向の片側もしくは両側に対向して配設しておき,該着磁コイルから発生するパルス磁場を上記超電導体の着磁方向から印加することを特徴とする超電導体の着磁方法。

IPC (2)：

H01F 13/00 ZAA ,  H01F 6/00 ZAA

FI (2)：

H01F 13/00 ZAA A ,  H01F 7/22 ZAA A