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J-GLOBAL ID：200903097658727922
シリコン薄膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133155
Publication number (International publication number)：1996330269
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【構成】ウエハホルダ2によって表面を保護されたシリコンウエハ1を、クランク機構を持ったロッド21により回転させながら、一定の濃度,温度に保たれたエッチング液33の中でエッチングを行う。【効果】ウエハを回転させることで、エッチング液の対流によりウエハの上部と下部に発生する若干の温度差の影響をなくすることができるので、数百μmの深いエッチングでも、シリコンの薄膜の残り板厚を一定に加工できる。
Claim (excerpt)：
シリコンウエハを異方性エッチングによりエッチングして、薄膜ダイアフラムを複数個形成するシリコン薄膜の形成方法において、前記シリコンウエハを回転させながらエッチングを行うことを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/306 J
, H01L 29/84 B
