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J-GLOBAL ID:200903097672045699

酸化物誘電体薄膜およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994084411
Publication number (International publication number):1995294862
Application date: Apr. 22, 1994
Publication date: Nov. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】 配向性に優れ、結晶性の良好な酸化物誘電体薄膜およびその製造方法の提供。【構成】 金属アルコキシドもしくは有機酸またはそれらの組合せを原料として酸化物誘電体薄膜を形成する前に、基板表面に水酸化処理を施すことを特徴とする酸化物誘電体薄膜およびその製造方法。
Claim (excerpt):
金属アルコキシドもしくは有機酸またはそれらの組合せを原料として酸化物誘電体薄膜を形成する前に、基板表面に水酸化処理を施すことを特徴とする酸化物誘電体薄膜の製造方法。

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