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J-GLOBAL ID：200903097672754940

半導体基板の表面処理方法

Inventor： 深澤 雄二 ,  桑田 淳夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214422
Publication number (International publication number)：1996078378
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 同一の薬液と保護液の循環使用を可能にして各液の使用量を少なくした半導体基板の表面処理方法を提供する。【構成】 半導体基板23の下面に水溶性のエッチング薬液Xを吹き付けるよう供給して処理すると同時に、非水溶性の保護液Yを上面に吹き付けるよう供給するようにしているので、半導体基板23の下面のエッチング処理に際してはエッチング薬液Xが下面にのみ供給され、保護液Yが供給されている上面にエッチング薬液Xが回り込むのが確実に阻止される。またエッチング薬液Xと保護液Yとは半導体基板23に供給し、エッチング処理が行われた後に混合液Zとして回収しても、それぞれが水溶性及び非水溶性の液体であるために分離フィルタ42によって簡単に分離することができ、この分離によって同一の液を循環使用することが可能となり、各液の使用量が少なく抑えられる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面を水溶性の薬液によって処理するに際し、該薬液を前記半導体基板の一主面に吹き付けるよう供給すると共に、非水溶性の保護液を前記半導体基板の他主面に吹き付けるよう供給することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  C23F 1/08 103 ,  H01L 21/306