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J-GLOBAL ID：200903097677070136

横ゲート縦ドリフト領域トランジスタ

Inventor： モヒト・バトナガー ,  チャールズ・イー・ウェイツェル
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997210097
Publication number (International publication number)：1998093087
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 オン抵抗が小さく、スイッチング特性が良好で、漏れ電流が小さいMOSFETを提供する。【解決手段】 横ゲート縦ドリフト領域トランジスタは、基板の一方の表面上に配置されたドレイン、および基板の他方の表面上に配置され、内部に埋込み領域を有するドープ構造を含む。埋込み領域は、ドープ構造内に、基板から垂直に延在するドリフト領域を規定し、更に、ドリフト領域と連通し、ドープ構造の表面に隣接したドープ領域を規定する。ドープ構造上に、ドープ領域と連通するソースが配置されて、更にドープ領域内に、表面に隣接し、ソースおよび埋込み領域と連通するインプラント領域が配置されている。ドープ構造上に絶縁層が配置され、この絶縁層上に金属ゲートが配置されている。金属ゲートは、制御端子に隣接して横方向に延在し、ドリフト領域およびソースと連通する、ドープ領域およびインプラント領域の内一方に導通領域を規定する。

Claim (excerpt)：

横ゲート縦ドリフト領域トランジスタであって:第1面(12,12’)および対向面を有する半導体基板(11,11’)であって、前記対向面上に第1電流端子(13,13’)が配置されている半導体基板(11,11’);内部に埋込み領域(16,16’)が配置されているドープ構造(15,15’)であって、該ドープ構造(15,15’)は前記基板(11,11’)の前記第1面(12,12’)上に配置され、前記基板(11,11’)の前記第1面(12,12’)と平行でかつこれと離間した表面(17,17’)を規定し、前記ドープ構造(15,15’)内に配置される前記埋込み領域(16,16’)は、前記基板(11,11’)の前記第1面(12,12’)からほぼ垂直に延在するドリフト領域(20,20’)を規定し、前記ド-プ構造内に配置される前記埋込み領域(16,16’)は、更に、前記ドリフト領域(20,20’)と連通しかつ前記ドープ構造(15,15’)の前記表面(17,17’)に隣接するドープ領域(21,21’)を規定する、ドープ構造(15,15’);前記ドープ構造(15,15’)上に前記ドープ領域(21,21’)および前記埋込み領域(16,16’)と連通して配置された第2電流端子(25,25’);前記ドープ構造(15,15’)の前記表面(17,17’)上に配置され、前記ドープ領域(21,21’)上に位置する絶縁層(30,30’);および前記絶縁層(30,30’)上に配置された制御端子(35,35’)であって、該制御端子(35,35’)に隣接して横方向に延在し、前記ドリフト領域(20,20’)および前記第2電流端子(25,25’)と連通する前記ドープ領域(21,21’)内の導通領域(36,36’)を規定する制御端子(35,35’);から成ることを特徴とする横ゲート縦ドリフト領域トランジスタ。

FI (3)：

H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 T