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J-GLOBAL ID：200903097680583683

ガラス膜の焼成方法および連続焼成装置

Inventor：
仙田 慎嗣

About 仙田 慎嗣

, 
大野 慎

About 大野 慎


Applicant, Patent owner：
株式会社ノリタケカンパニーリミテド

About 株式会社ノリタケカンパニーリミテド


Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999348365
Publication number (International publication number)：2001163637
Application date： Dec. 08, 1999
Publication date： Jun. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】工程の安定性が高く且つ内部気泡の少ないガラス膜を製造するための焼成方法および連続焼成装置を提供する。【解決手段】誘電体層を焼成する際の昇温過程A〜Cにおいてガラス粉末が軟化する過程で、減圧昇温工程Cにおいて減圧させられると、乾燥膜の内部から表面に気孔が連通している段階でその外部空間が乾燥膜内部よりも低圧となるため、その乾燥膜内部に存在する気体が表面から排出される。そのため、保持温度まで昇温させられることによりガラス粉末が軟化し且つ相互に結合させられる際には、内部に気体が殆ど存在しないことから、生成されるガラス膜延いては誘電体層内に気泡が残存することが抑制される。また、気泡の残留が抑制されることから、保持温度を軟化点Tspよりも僅かに高い550(°C) 程度の温度に設定すればよいため、その保持温度を高く設定する場合の工程の安定性に欠ける不都合が抑制される。
Claim (excerpt)：
膜形成面に形成したガラス粉末および樹脂成分を含む乾燥膜をそのガラス粉末の軟化点よりも所定値だけ高い保持温度まで昇温することにより、その樹脂成分を焼失させると同時にそのガラス粉末を相互に結合させてその乾燥膜からガラス膜を生成するガラス膜の焼成方法であって、前記保持温度まで昇温させる過程において、前記ガラス粉末が軟化する過程で前記乾燥膜の焼成雰囲気を減圧する減圧工程を含むことを特徴とするガラス膜の焼成方法。
IPC (3)：
C03C 17/04 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02
FI (3)：
C03C 17/04 Z ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B
F-Term (16)：
4G059AA08 ,  4G059AB01 ,  4G059AB09 ,  4G059AB19 ,  4G059AC20 ,  4G059CA01 ,  4G059CB09 ,  4G059FA05 ,  4G059FA07 ,  4G059FA15 ,  4G059FA28 ,  5C027AA06 ,  5C040GD09 ,  5C040JA22 ,  5C040JA31 ,  5C040MA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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