Pat

J-GLOBAL ID：200903097689305570

超電導光センサ

Inventor： 長田 昌也 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316842
Publication number (International publication number)：1994164002
Application date： Nov. 26, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 液体窒素温度以上の温度で動作する超高感度/超高速な超電導光センサを提供する。【構成】 基板1上に形成されたYBCO薄膜2,2'の接合部3には、p型a-Si薄膜4,n型a-Si薄膜5およびi型a-Si薄膜6から成るp-i-n型a-Siホトダイオードを形成する。このような構造を有する超電導光センサは液体窒素温度で光非照射時にはSNSジョセフソン接合となっており、臨界電流以下の電流を印加している場合には出力電圧は0Vである。そして、光照射時にはp-i-n型a-Siホトダイオードに光起電力が生じて、約数百mVと従来の超電導光センサの約千倍程度の出力電圧が得られる。また、その際における応答速度は10-10secと非常に高速である。

Claim (excerpt)：

基板上に、夫々電極となる二つの超電導体層と上記二つの超電導体層の間に位置する光電変換層を含み、上記光電変換層とその光電変換層に面する上記超電導体層の部分とが接合部となる積層体構造を設けたことを特徴とする超電導光センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-265176
  
• 特開昭64-067981
  
• 特開平1-184423