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J-GLOBAL ID：200903097689644995

半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置

Inventor： 平尾 秀司
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999345660
Publication number (International publication number)：2001168063
Application date： Dec. 06, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体基板上のパターン密度に依存する金属配線の局所的な盛り上がりを抑制できる半導体装置の製造方法、電解めっき方法および電解めっき装置を提供する。【解決手段】半導体基板1上の層間絶縁膜2上に種銅膜4を形成する工程(a)(b)と、種銅膜4のイオン、めっき反応の促進成分10及び抑制成分11を含有する電解溶液を用いてめっき銅膜7を堆積する工程(c)と、電解めっきにより析出しためっき銅膜7の表面の促進成分10を除去する工程(d)と、促進成分10を除去されためっき銅膜7に所望の膜厚まで電解めっきにより銅膜4aを堆積する工程(e)と、開口部内以外の銅膜4a、7を除去する工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜の開口部へめっき法によって金属電極を形成する半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜上に導電層を形成する工程と、少なくとも前記導電層のイオン、めっき反応を促進する成分及び抑制する成分を含有する電解溶液を用い電解めっきによって前記開口部を埋め込むために必要な膜厚の第1の金属膜を堆積する工程と、前記電解めっきにより析出した前記第1の金属表面の少なくとも促進成分を除去する工程と、前記促進成分を除去された前記第1の金属膜に所望の膜厚まで電解めっきにより前記第2の金属膜を堆積する工程と、前記開口部内以外の前記金属を除去する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/288 ,  C25D 7/12

FI (2)：

H01L 21/288 E ,  C25D 7/12

F-Term (19)：

4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA02 ,  4K024CA08 ,  4K024CA15 ,  4K024CB06 ,  4K024CB21 ,  4K024DB07 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD52 ,  4M104HH13