Pat
J-GLOBAL ID：200903097696085870
マスクの修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054481
Publication number (International publication number)：1998254125
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】 集束イオンビームを用いた黒欠陥修正において、修正したパターンの転写イメージでの寸法変動を低減すること。【解決手段】 修正工程では、黒欠陥と隣接するクロムパターンの一部を修正領域とし、これを集束イオンビームで除去する。更に、修正領域の内側の領域にGaイオン注入領域を設定し、透過率調整工程で、集束イオンビームをGaイオン注入領域に照射する。これにより、透過率の低いGaイオン注入領域が作成され、転写イメージでの寸法が所望の値となる。
Claim (excerpt)：
半導体装置のパターン形成に使用するマスクに発生する黒欠陥を集束イオンビームにより除去して修正するマスクの修正方法において、修正工程と転写イメージ観察工程と透過率調整工程とを有し、前記黒欠陥と該黒欠陥に隣接するクロムパターンの一部を含む領域に修正領域を配置し、前記修正領域の内側の領域にGaイオン注入領域を配置し、前記修正工程では、集束イオンビームを前記修正領域に照射して黒欠陥と該修正領域内のクロムパターンの除去を行い、前記転写イメージ観察工程では、転写イメージ像の観察を行い、前記修正領域に隣接するクロムパターンの転写イメージでの線幅寸法を得て、前記透過率調整工程では、集束イオンビームの照射をGaイオン注入領域に行うことを特徴とするマスクの修正方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 V
, H01L 21/30 502 W
