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J-GLOBAL ID：200903097696935016

半導体装置

Inventor： 井元 晋也
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996098475
Publication number (International publication number)：1997289304
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置におけるPN接合の耐圧を上げるための、PN接合上に設けられるフィールドプレート電極の新しい構造を提供する。【解決手段】 半導体基板に形成されたPN接合上の2層の絶縁層間に部分的に導電層を設けることにより、フィールドプレート電極と半導体基板との間の距離を段階的及び/又は連続的に変化させて、フィールドプレート電極端近傍の電界集中が生じ易い領域での電界集中を緩和させるようにした。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成される拡散領域と、上記半導体基板上に形成される第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上の、上記拡散領域内外に亘って形成される第1の導電層と、上記第1の導電層上に形成される第2の絶縁層と、上記拡散領域上から、拡散領域から遠ざかる方向へと上記第1の導電層上を越えて延設され、その途中で上記第2の絶縁層に設けられた貫通孔により上記第1の導電層と接続される第2の導電層と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 X