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J-GLOBAL ID：200903097699215499

半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法

Inventor： 相原 良平 ,  遠藤 一明 ,  次田 克幸
Applicant, Patent owner： セイミケミカル株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998116556
Publication number (International publication number)：1999012561
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハー研磨後の絶縁膜表面の傷を少なくし、残存するNa等の量を減少させ、長期保存しても微生物の増殖がない半導体用研磨剤を提供する。【解決手段】 重量平均粒径が0.1〜0.35μmで、結晶子径が150〜600Åである酸化セリウム粒子を含む半導体用研磨剤。酸化セリウム粒子は高純度炭酸セリウムを湿式粉砕し、乾燥し、焼成して製造し、Naの含有量は10ppm以下である。

Claim (excerpt)：

重量平均粒径が0.1〜0.35μmであり、結晶子径が150〜600Åである酸化セリウム粒子を含むことを特徴とする半導体用研磨剤。

IPC (3)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B