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J-GLOBAL ID：200903097699372985

半導体の製造方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 長谷川 義晃 ,  菅原 岳 ,  宮永 良子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001355467
Publication number (International publication number)：2002231704
Application date： Nov. 21, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 III-V族化合物半導体に対するエッチング制御を容易に且つ確実に行なえるようにする。【解決手段】 p型第1クラッド層18の上に、アルミニウムの組成がp型第1クラッド層18よりも大きく且つ厚さが約50nmのp型Al0.10Ga0.90Nからなるエッチング停止層19Aを成長する。続いて、エッチング停止層19Aの上に、厚さが約0.4μmのp型Al0.07Ga0.93Nからなるp型第2クラッド層20と、厚さが約0.1μmのp型GaNからなるp型コンタクト層21を成長する。続いて、第1の絶縁性パターン22Bをマスクとして、p型第2クラッド層20に対して、ドライエッチングを行なうことにより、p型第2クラッド層を、第1の絶縁性パターン22Bが転写されたリッジ形状にパターニングする。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層の上に、エッチング停止層を形成する第1の工程と、前記エッチング停止層の上に、III-V族化合物半導体からなる第2の半導体層を形成する第2の工程とを備え、前記エッチング停止層のドライエッチングによるエッチングレートは、前記第2の半導体層のエッチングレートよりも小さいことを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 E

F-Term (24)：

5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004CB01 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004DB26 ,  5F004EA01 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F073AA03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35