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J-GLOBAL ID：200903097714545069

酸化膜接着基板及びその製造方法

Inventor： 馬場 嘉朗 ,  奥村 秀樹 ,  斎藤 和行 ,  大澤 明彦 ,  八幡 重夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996249458
Publication number (International publication number)：1998098171
Application date： Sep. 20, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】高耐圧を維持しつつ、結晶欠陥の少ない素子形成面を有するSOI基板を得る。【解決手段】高濃度の酸素を含む素子形成用CZ基板上に素子形成領域をエピタキシャル成長により形成し、熱酸化処理中にエピタキシャル層に発生した微小欠陥をCZ基板中に吸収する。この後、熱酸化膜を介して、前記エピタキシャル層を、表面に熱酸化膜を形成した台基板に接着し、前記の高濃度の酸素を含む素子形成用CZ基板を除去する。

Claim (excerpt)：

第一の半導体基板と、前記第一の半導体基板上の一面に形成された第一の熱酸化膜と、前記第一の熱酸化膜上に接着形成された第二の熱酸化膜と、前記第二の熱酸化膜上に形成されたエピタキシャル層とを具備し、前記エピタキシャル層が、第二の半導体基板上に形成され、前記エピタキシャル層上に前記第二の熱酸化膜が形成され、前記第二の熱酸化膜が前記第一の熱酸化膜と接着形成され、その後に前記第二の半導体基板が除去されることによって形成されたものであることを特徴とする酸化膜接着基板。

IPC (6)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (6)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/322 Z ,  H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-065648
  
• 貼合せSOIとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-250155   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 特開平1-173727