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J-GLOBAL ID:200903097717273426

高周波昇圧トランス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大田 優
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992089482
Publication number (International publication number):1993258975
Application date: Mar. 13, 1992
Publication date: Oct. 08, 1993
Summary:
【要約】【目的】銅損を小さくし高効率で低背型とする。生産性の向上。【構成】対向する二側面に面付け型の端子20を植設したベース部11及びベース部11の中央から上方に突出した円筒状の巻軸12と有するボビン10と、巻軸12に巻回された内側巻線30と、内側巻線30の外側に巻回された外側巻線50と、上下方向に突き合わされて閉磁路を形成する一対の磁性体コア60、70とを備え、少なくとも一方のコア70に設けた円柱形の中央脚73を巻軸12の中に挿入し、内側巻線30のリード線と外側巻線50のリード線をそれぞれボビン10の異なる側面の端子20に接続するとともに、外側巻線50の巻幅Wを外側巻線50の高さHより大きくした高周波昇圧トランス。
Claim (excerpt):
対向する二側面に面付け型の複数の端子を植設したベース部と該ベース部のほぼ中央から上方に突出した円筒状の巻軸とを有する絶縁性のボビンと、該巻軸に巻回された内側巻線と、内側巻線の外側に巻回された外側巻線と、上下方向に突き合わされて閉磁路を形成する一対の磁性体コアとを備え、少なくとも一方のコアに設けた円柱形の中央脚をボビンの巻軸の中に挿入し、内側巻線のリード線と外側巻線のリード線をそれぞれボビンの異なる側面の端子に接続するとともに、外側巻線の巻幅Wを該外側巻線の高さHより大きくしたことを特徴とする高周波昇圧トランス。

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