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J-GLOBAL ID：200903097730459083

緻密質焼結膜の作製方法

Inventor： 樋渡 研一 ,  上野 晃 ,  相沢 正信
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998164316
Publication number (International publication number)：1999343185
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ある程度緻密なセラミック基体上に、セラミックスヒータの導電層や、SOFC用のインターコネクターなど、緻密さが要求される焼結膜の作製方法を提供する。【解決手段】 ある程度緻密なセラミック基体上に緻密質焼結膜を形成する方法であって、成膜面とその反対側の面(反成膜面)との間に差圧を与えた状態でディップし乾燥する工程を含む成膜法で成膜し焼成する。

Claim (excerpt)：

ある程度緻密なセラミック基体上に緻密質焼結膜を形成する方法であって、成膜面とその反対側の面(反成膜面)との間に差圧を与えた状態でディッピングを行い乾燥する工程を含む成膜法で成膜し焼成することを特徴とする緻密質焼結膜の作製方法。

IPC (4)：

C04B 41/87 ,  B05D 7/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (4)：

C04B 41/87 A ,  B05D 7/00 C ,  H01M 8/02 Y ,  H01M 8/12