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J-GLOBAL ID：200903097743774859

固体撮像装置およびその製造方法

Inventor： 前田 敦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000390315
Publication number (International publication number)：2002190586
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 固体撮像装置において、ダメージ層をできるだけなくし、リーク電流を低減する。【解決手段】 固体撮像装置は、半導体基板1と、この基板上に形成された第1の拡散層を含むフォトダイオードと、上記主表面上に形成された第2の拡散層(FD領域)および第3の拡散層をソース/ドレイン領域として含むMOSトランジスタとを備える。上記FD領域は、上記フォトダイオードによって定まる信号電荷を信号電圧に変換する役割を兼ね、第3の拡散層には、低濃度の不純物を注入されたN-拡散層4aに加えて高濃度の不純物を注入されたN+拡散層4bが形成されているのに対して、上記FD領域にはN-拡散層4aのみが形成されている。なお、FD領域の上側は、イオン注入を遮断するための注入遮断層としての酸化膜5aに覆われている。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記主表面上に形成された第1の拡散層を含むフォトダイオードと、前記主表面上に形成された第2の拡散層および第3の拡散層をソース/ドレイン領域として含むMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタとを備え、前記第2の拡散層は、前記フォトダイオードによって定まる信号電荷を信号電圧に変換する役割を兼ね、前記第2の拡散層の不純物濃度は、前記第3の拡散層の不純物濃度の1/10以下である、固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 G

F-Term (17)：

4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA34 ,  4M118FA47 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY18 ,  5F049MA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049UA20