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J-GLOBAL ID：200903097755294941
半導体受光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996019084
Publication number (International publication number)：1997213920
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体受光素子の受光面上で、各受光部間に挟まれた分離部での感度低下を防止する。【解決手段】 複数の受光部A(pn接合26)と各受光部Aに挟まれた半導体基板22部分をなす分離部Bとの表面を覆う光透過性膜30について、受光部A上と分離部B上とで同一な膜構造とする。通常、受光部A上の膜構造は、光源の波長に応じて最大感度が得られるように最適設計されている。従って、本発明によって受光部A上と同様に分離部B上でも光の損失を少なくでき、これにより分離部Bの感度低下を防止できる。この光透過性膜30として、例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とからなる積層膜を用いることができる。
Claim (excerpt)：
それぞれが半導体基板の表面側に互いに分離して形成したpn接合からなる複数の受光部と、各受光部に挟まれた半導体基板部分をなす分離部とを備え、これら受光部と分離部との表面を光透過性膜で覆って構成してある半導体受光素子において、上記光透過性膜は、上記受光部上と上記分離部上とで同一な膜構造を有することを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
