Pat
J-GLOBAL ID：200903097764894838
窒化物系半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005284330
Publication number (International publication number)：2006128661
Application date： Sep. 29, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：
【課題】青色から緑色の領域に発振波長を有する半導体レーザであって、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止することで低しきい値電流の半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層104が(11-22)面上に形成され、(11-22)面と垂直な(1-100)面を共振器端面とすることで、ピエゾ分極による発光効率の低下を防止すると同時にレーザ共振器を容易に作製することができ、低しきい値電流の半導体レーザを歩留まり良く作製することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の(11-22)面上に形成された、活性層と前記活性層を挟む2つのクラッド層とを有する積層体と、
を有することを特徴とする窒化物系半導体レーザ。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (14)：
5F173AF92
, 5F173AF96
, 5F173AG05
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AH47
, 5F173AH49
, 5F173AP05
, 5F173AP13
, 5F173AP17
, 5F173AP33
, 5F173AP78
, 5F173AP79
, 5F173AR24
