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J-GLOBAL ID：200903097769125646
半導体素子の電極形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998287624
Publication number (International publication number)：1999214421
Application date： Oct. 09, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 信頼性の高い電極形成のためのアルミニウム電極上への無電解ニッケルめっきおよび金めっき法を提供することを目的とする。【解決手段】 アルミニウム電極12上に水酸化ナトリウムと酸化亜鉛とを含むジンケート処理液で亜鉛を析出14させた後、還元剤である次亜りん酸ナトリウムを純水に溶かした後、水酸化ナトリウム溶液でpH9.0〜12.0に調整しながら純水を加えてトータルで1000mLにした溶液15に浸漬し、次に半導体素子のアルミニウム電極12を反応促進剤としてイオウ化合物を含む酸化還元反応型の無電解ニッケルめっき液を用い、pH4.0〜6.8、温度80〜90°Cの条件でニッケルめっきした後、置換反応型の無電解金めっき、酸化還元型の無電解金めっきをすることにより半導体素子の全てのアルミニウム電極12にリンを含むニッケル膜16および金めっき皮膜17,18が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体素子のアルミニウム電極表面にバリアメタルあるいは突起電極としてニッケルめっきを施すにあたり、上記素材を酸性液あるいはアルカリ性液によりエッチング処理するライトエッチング工程と、アルカリ性亜鉛酸塩溶液を用いてジンケート処理を行うジンケート処理工程と、還元剤を溶かしたアルカリ性溶液に浸漬することにより前記アルミニウム電極表面を活性化する活性化工程と、前記還元剤溶液をアルミニウム電極に付着させた状態で前記アルミニウム電極を酸化還元反応型の無電解ニッケルめっき液に浸漬する無電解ニッケルめっき工程とを有する半導体素子の電極形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/60
, C23C 18/32
, C23C 18/42
, H01L 21/306
H01L 21/92 604 D
, C23C 18/32
, C23C 18/42
, H01L 21/306 F
