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J-GLOBAL ID：200903097794731569

記録方法

Inventor： 明石 量磁郎 ,  井上 彰則 ,  赤崎 豊
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998188602
Publication number (International publication number)：1998338879
Application date： Mar. 11, 1991
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 解像度、コントラスト、応答性が改善されたメモリー等に適用できる光変調素子の記録方法を提供する。【解決手段】 本発明の記録方法は、メモリー材料として、相分離液晶ポリマー薄膜液晶性化合物と非液晶性化合物との二成分を側鎖成分として含有するビニル系共重合体であって、その共重合体中の二成分が相分離状態で存在している相分離液晶ポリマーを使用し、その相分離液晶ポリマーの薄膜を透明状態に保持した後、部分的に加熱および冷却して、加熱部分を白濁化してメモリーさせることを特徴とする。本発明の記録方法において、前記相分離液晶ポリマー薄膜を透明状態に保持するために、相分離液晶ポリマー薄膜に加熱しながら電場を印加するのが好ましい。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種の液晶性化合物と、少なくとも1種の非液晶性化合物との二成分を側鎖成分として含有し、下記一般式(I)および(II)で示される繰り返し単位を1:99〜99:1の割合で含有する共重合体であって、該共重合体中の該二成分が相分離状態で存在している相分離液晶ポリマーよりなる相分離液晶ポリマー薄膜を部分的に加熱および冷却して、加熱部分をメモリーさせることを特徴とする記録方法。【化1】〔式中、R1 およびR2 は、それぞれ水素原子、メチル基またはハロゲン原子を表わし、Aは、下記一般式(a)〜(f)で示されるメソゲン分子よりなる基を表わし【化2】(式中、R3 は、ハロゲン原子またはシアノ基を表わす。)、Bは、下記式で示される基を表わす。-COOR4 、-OCOR4 、-CONR4 (R5 )またはR6(式中、R4 およびR5 は、それぞれ水素原子、ハロゲン若しくは複素環基で置換されていてもよい炭素数1〜30のアルキル基、アルケニル基、脂環式基、ヒドロキシアルキル基、ヘテロ原子を含むアルキル基、置換されていてもよいフェニル基を表し、R6 は、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、置換されていてもよいフェニル基、複素環、アミノ基またはシアノ基を表わす。)なお、AおよびBはそれぞれ2種以上の基より構成されていてもよく、nは1〜30の整数を示す。〕

IPC (6)：

C09K 19/38 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/1333 ,  C08F220/16 ,  C08F220/26 ,  C08F220/56

FI (6)：

C09K 19/38 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/1333 ,  C08F220/16 ,  C08F220/26 ,  C08F220/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-042415
  
• 特開昭60-192712
  
• 特開昭62-191826