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J-GLOBAL ID：200903097806477639

半導体デバイスの特性劣化のパラメータ抽出方法

Inventor： 中井 聡 ,  佐藤 成生 ,  山地 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 土井 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996000649
Publication number (International publication number)：1997186213
Application date： Jan. 08, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】MOSFETのホットキャリアによる損傷分布を抽出する。【解決手段】仮想上のデバイスの構造についてのデータを初期値として入力し、デバイスの損傷の分布のデータを追加初期値として入力して所定のデバイスシミュレータによって演算した当該劣化後の仮想のデバイスの電気特性と、前記デバイスの構造と同等の実際のデバイスを作成し、所定のストレス状態を印加した後、測定した実際のデバイスの電気特性とを比較し、一致しない場合は、前記の追加初期値を変更して前記デバイスシミュレータによって当該劣化後の仮想のデバイスの電気特性を再度演算し、前記比較工程で両者の電気特性がほぼ一致する場合は、当該追加初期値の損傷の分布を特性劣化のパラメータとして抽出し、一致するまで追加初期値を変更してデバイスシミュレーションの工程を繰り返す半導体デバイスの特性劣化のパラメータを抽出する方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成されたソース領域及びドレイン領域と、それら領域の間の該基板上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極とを有する半導体デバイスの特性劣化のパラメータを抽出する方法において、(a)仮想上の前記デバイスの構造についてのデータを初期値として入力し、該デバイスのホットキャリアによる損傷の分布のデータを追加初期値として入力して所定のデバイスシミュレータによって当該劣化後の仮想のデバイスの電気特性を演算する工程と、(b)前記デバイスの構造と同等の実際のデバイスを作成し、所定のストレス状態を印加した後、該実際のデバイスの電気特性を測定する工程と、(c)前記仮想のデバイスの電気特性と実際のデバイスの電気特性とを比較する工程と、(d)前記比較工程で両者の電気特性が一致しない場合は、前記の追加初期値を変更して前記デバイスシミュレータによって当該劣化後の仮想のデバイスの電気特性を演算する工程と、(e)前記比較工程で両者の電気特性がほぼ一致する場合は、当該追加初期値の損傷の分布を特性劣化のパラメータとして抽出する工程とを有し、前記(d)(c)の工程を前記比較工程でほぼ一致するまで繰り返すことを特徴とする半導体デバイスの特性劣化のパラメータを抽出する方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  G06F 17/50 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 29/00 ,  G06F 15/60 612 G ,  H01L 29/78 301 T