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J-GLOBAL ID：200903097809149799

美顔処理装置

Inventor： 玉村 静一郎 ,  小川 創市
Applicant, Patent owner： 株式会社水研
Agent (1)： 落合 健 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001297266
Publication number (International publication number)：2003093462
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】美顔処理を施す人に適切に対応した波形のパルス電流を通電するようにして最大の美顔効果が得られるようにする。【解決手段】人体の顔の表面に接触し得る第1導体5と、第1導体5が接触している部分とは離隔した位置で人体表面に接触し得る第2導体41との間で、低周波電源15から顔の表面に通電されるパルス電流の周波数およびパルス幅が、周波数調節手段31およびパルス幅調節手段33で調節される。

Claim (excerpt)：

人体の顔の表面に接触し得る第1導体(5)と、第1導体(5)が接触している部分とは離隔した位置で人体表面に接触し得る第2導体(41)と、前記顔の表面にパルス電流を通電することを可能として第1および第2導体(5,41)に接続される低周波電源(15)とを備える美顔処理装置において、前記パルス電流の周波数を調節可能な周波数調節手段(31)と、前記パルス電流のパルス幅を調節可能なパルス幅調節手段(33)とを含むことを特徴とする美顔処理装置。

IPC (2)：

A61H 15/00 390 ,  A61N 1/32

FI (2)：

A61H 15/00 390 A ,  A61N 1/32

F-Term (8)：

4C053JJ03 ,  4C053JJ04 ,  4C053JJ21 ,  4C100AE01 ,  4C100BB01 ,  4C100CA01 ,  4C100DA02 ,  4C100EA05