Pat
J-GLOBAL ID:200903097810398271
マスクおよびその製造方法、光学素子およびその製造方法、並びに該光学素子を備えた照明光学装置および露光装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山口 孝雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002133494
Publication number (International publication number):2003050455
Application date: May. 09, 2002
Publication date: Feb. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 入射光束を所定の断面形状を有する光束に効率良く変換することのできる回折光学素子の製造方法。【解決手段】 所定の光束断面を分割して複数の第1光束断面部分領域を得る(S11)。複数の第1光束断面部分領域の長さの総和を算出し(S12)、長さの総和を等分割して所定の単位長を得る(S13)。所定の単位長に基づいて複数の第2光束断面部分領域を得る(S14)。複数の第2光束断面部分領域の座標に対応する所定の光学素子上での座標データを用いて所定の光学素子を複数の部分光学素子に分割する(S15)。複数の部分光学素子を稠密に配置して基本光学素子を構成する(S16)。
Claim (excerpt):
複数の部分光学素子から構成された基本光学素子を備え、入射光束を所定の光束断面を有する光束に変換する光学素子をリソグラフィにより製造するために用いられるマスクの製造方法であって、前記所定の光束断面を第1方向に沿って延びる複数の領域に分割して複数の第1光束断面部分領域を得る第1分割工程と、前記第1分割工程により得られた前記複数の第1光束断面部分領域の前記第1方向に沿った長さの総和を算出する全長算出工程と、前記全長算出工程により得られた前記長さの総和を等分割して所定の単位長を得る単位長算出工程と、前記単位長算出工程により得られた前記所定の単位長に基づいて前記複数の第1光束断面部分領域を分割して、複数の第2光束断面部分領域を得る第2分割工程と、前記複数の第2光束断面部分領域の座標に対応する所定の光学素子上での座標データを用いて前記所定の光学素子を複数の部分光学素子に分割する第3分割工程と、前記第3分割工程により分割された前記複数の部分光学素子を稠密に配置して前記基本光学素子を構成する稠密配置工程と、前記稠密配置工程により得られた前記基本光学素子をリソグラフィによって得るためのパターンを前記マスクに描画する描画工程とを含むことを特徴とするマスク製造方法。
IPC (4):
G03F 1/08
, G02B 5/18
, G03F 7/20 501
, H01L 21/027
FI (7):
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 D
, G03F 1/08 M
, G02B 5/18
, G03F 7/20 501
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 515 D
F-Term (14):
2H049AA03
, 2H049AA07
, 2H049AA37
, 2H095BA12
, 2H095BB01
, 2H095BB36
, 2H095BE02
, 2H095BE08
, 2H097CA06
, 2H097JA02
, 2H097LA20
, 5F046CB01
, 5F046CB25
, 5F046DA12
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