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J-GLOBAL ID：200903097818731379

湾曲した基材のコーティング用PCVD法及び装置

Inventor： ヘミング、マルティン ,  ランゲ、ウルリッヒ ,  ラングフェルド、ローランド ,  メール、ヴォルフガング ,  オットー、ユルゲン ,  パケット、フォルケル ,  ゼグネル、ヨハネス ,  ヴァルテル、マルテン
Applicant, Patent owner： カール-ツァイス-スティフツング
Agent (1)： ▲吉▼田 繁喜
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995524980
Publication number (International publication number)：1997511019
Application date： Mar. 29, 1995
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】コーティング工程中、コーティングされる基材表面がガスシャワー装置のガス透過面に対向して配置される、湾曲した基材上に均一層厚の皮膜を生成するためのPCVD法が記載されている。コーティングされる基材のタイプに対して、プロセスにとって適切なプロセスパラメータを決定するために、ガス透過面のサイズ及び該ガス透過面を通るガスマスフローの大きさが一定に保たれる第一シリーズの試験において、インパルス間隔が値tAから出発して最適値teffを決定する方向に、基材上に生成される層厚分布がそれ以上の均一性を示さなくなるまで変えられる。必要に応じて、値teffがほとんど保持される第二シリーズの試験において、さらに均一化が行われなくなるまでゾーンパラメータ及び/又はガスマスフローの最適化を通じて層厚分布を変えることができる。装置はガスゾーンシャワー装置10を有し、そのガス透過面はコーティングされる基材1に対向して配置される。ゾーン13,14及び15が供給ライン21,21a及び22によって層非形成ガス源27へ、また補給ガスを供給するためのガス源28へ接続される。

Claim (excerpt)：

工程中、コーティングされる基材表面がガスシャワー装置の透過面に対向して配置され、該シャワー装置を通じて層形成ガスを含む混合ガスが反応室内に流入し、該反応室において所定時間のインパルス間隔で分離されたプラズマインパルスが発生され、湾曲した基材、特にガラス又はプラスチック製のレンズ上に均一な層厚の皮膜を生成させるPICVD法であって、最初の一連の試験において、コーティングされる基材のタイプに対して、ガス透過面のサイズ及び該ガス透過面を通過するガスマスフローの大きさを一定に保ち、インパルス間隔を初期値TAから出発して最適値teffを決定する方向に、基材上に生成される層厚分布がそれ以上の均一性を示さなくなるまで段階的に変化させることを特徴とする湾曲した基材上に均一な層厚の皮膜を生成させるためのPICVD法のプロセスパラメータを決定する方法。

IPC (4)：

C23C 16/52 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G02B 1/11

FI (4)：

C23C 16/52 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  G02B 1/10 A