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J-GLOBAL ID：200903097823601912

結晶質基体へのドーピング

Inventor： プリンス、ヨハン、フランス
Applicant, Patent owner： デ ビアス インダストリアル ダイアモンズ (プロプライエタリイ)リミテッド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001500026
Publication number (International publication number)：2003500866
Application date： May. 24, 2000
Publication date： Jan. 07, 2003
Summary：

【要約】結晶格子を有するドープされた結晶質基体の製法を提供する。この方法は、結晶格子を有する結晶質基体を与え;該結晶質基体の中にドーパント原子を注入してドープされた層を作り出す諸工程を含む。その後又は同時に、諸イオンを該結晶質基体の中に注入し、損傷層を作り出す。この損傷層は、ドープされた層から離されていて、結晶質基体の空格子点及び格子間原子を含有する。格子間原子は損傷層から、ドープされた層中の空格子点の中に拡散されて、その中の損傷が減少する。

Claim (excerpt)：

結晶格子を有するドープされた結晶質基体の製法において、結晶格子を有する結晶質基体を与える工程と;前記結晶質基体の中にドーパント原子を注入してドープされた層を作り出す工程と;イオンを注入して前記結晶質基体中に損傷層を作り出す工程であって、該損傷層が前記ドープされた層から離れており、しかも、該損傷層が該結晶質基体の空格子点及び格子間原子を含有している上記工程と;前記損傷層からの格子間原子を該損傷層から、前記ドープされた層中の空格子点の中に拡散させる工程と;を含む上記製法。