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J-GLOBAL ID：200903097840319384
マグネトロン反応性イオンエッチング装置の制御方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299812
Publication number (International publication number)：1995153598
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェハの面内におけるプラズマ密度の偏在を常時最小限に抑制する。【構成】 ウェハ50はカソード電極40上に載置され、隔置したアノード電極30にその上方を遮蔽されている。カソード電極40は接地したRF電源60に接続され、アノード電極30は接地されている。アノード電極30の外側には、電磁コイル10及び11の組と電磁コイル20及び21の組が直列接続されて隔置されている。電磁コイル10及び11における電流I<SB>1 </SB>と、電磁コイル20及び21における電流I<SB>2 </SB>とがそれぞれ、磁場Bの回転周期Tに対して以下のように設定されている。ただし、I<SB>0 </SB>:振幅,t:時間,n:整数。I<SB>1 </SB>= I<SB>0 </SB> { nT≦t<(n+1/4)T}-I<SB>0 </SB> {(n+1/2)T≦t<(n+3/4)T},I<SB>2 </SB>= I<SB>0 </SB> {(n+1/4)T≦t<(n+1/2)T}-I<SB>0 </SB> {(n+3/4)T≦t<(n+1)T }
Claim (excerpt)：
ウェハを挟んで対向して配置され、対向する方向に磁場を発生する電磁コイルの組を複数備え、これらの電磁コイルの組によって与えられる磁場の方向を変化させながら、前記ウェハ表面のエッチングを行うマグネトロン反応性イオンエッチング装置の制御方法において、常に1組の電磁コイルにのみ前記磁場を形成するための通電を行うと共に、その通電を、前記電磁コイルの各組の選択とその通電方向の選択との組合せがほぼ均等に出現するように切り替えることを特徴とするマグネトロン反応性イオンエッチング装置の制御方法。
IPC (3)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
