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J-GLOBAL ID：200903097848993530
半導体基板研磨装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260071
Publication number (International publication number)：1996124885
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板の表面を研磨するときに生じる静電気を研磨効果を落とすことなく中和し、半導体基板上に形成された絶縁膜等の静電破壊を防止しうる半導体基板研磨装置を提供する。【構成】 半導体基板の表面を平坦化するための回転テーブルの表面に半導体基板の表面を回転させながら接触させ、研磨剤を注入して前記半導体基板の表面を研磨する半導体基板研磨装置において、前記半導体基板を研磨する際に前記半導体基板に発生する静電気を中和するために、静電気と異符号のイオン化ガスを前記半導体基板に供給するイオン化ガス供給手段を備えるものとして構成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面を平坦化するための回転テーブルの表面に半導体基板の表面を回転させながら接触させ、研磨剤を注入して前記半導体基板の表面を研磨する半導体基板研磨装置において、前記半導体基板を研磨する際に前記半導体基板に発生する静電気を中和するために、静電気と異符号のイオン化ガスを前記半導体基板に供給するイオン化ガス供給手段を備えることを特徴とする半導体基板研磨装置。
IPC (2)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
