金属、酸化膜及び炭化珪素半導体からなる積層構造体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998027979
Publication number (International publication number)：1999233760
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素単結晶表面を熱酸化して作製したMOS構造を持つ素子の熱酸化膜内部に発生する正及び負電荷を低減させてMOS構造のC-V特性及びI-V特性の横方向シフトを低減させることに関するものである。【構成】金属、熱酸化膜及び炭化珪素半導体から構成される積層構造体において、その熱酸化膜を5nm以下の熱酸化膜で形成したことからなる積層構造体であり、又、その熱酸化膜の上に、更に熱酸化以外の方法で酸化膜を作製することにより2層以上の酸化膜を堆積させた積層構造体であり、更に又、その熱酸化以外の方法で作製した酸化膜が窒化膜である積層構造体である。

Claim (excerpt)：

金属、酸化膜及び炭化珪素(SiC)半導体からなるMOS構造を有する積層構造体において、この酸化膜が5nm以下の熱酸化膜で形成されたことを特徴とする積層構造体。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/16

FI (3)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/16 , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-243133
特開昭63-262871
半導体記憶素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-251915 Applicant：ローム株式会社

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