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J-GLOBAL ID：200903097865048792

GaN蛍光体

Inventor： 佐藤 義孝 ,  須田 順子 ,  片岡 文昭 ,  土岐 均
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131500
Publication number (International publication number)：2000319653
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Nov. 21, 2000
Summary：

【要約】【目的】電子線の励起により実用上十分な輝度で発光するGaN 系蛍光体を提供する。【構成】GaN 蛍光体母体に、アクセプターとドナーを両方添加し、過剰なホールの存在を電界補償で解消し、窒素欠陥生成を抑制して母体の結晶性悪化を抑制する。GaN に対してアクセプター又はドナー不純物になる条件は、6配位であり、母体元素であるGa又はNのイオン半径に近いことである。アクセプターは2族元素(Mg3+,Zn2+ ) 、ドナーは4族又は6族(Si4+,Ge4+ ,Sn4+ ,S2-,O2-) である。Ga2S3 を20gと、MgS を0.4gと、SiO2を0.003g、混合して焼成ボートに載せ、アンモニア中で1150°Cで2時間焼成してGaN:Mg,Si 蛍光体を得た。2kV の電子線で励起すると青色に発光した。Si濃度を0.2mol% に固定すると、Mg濃度が0.002〜0.2mol% であると最大値の50% 以上の相対輝度となる。Mg(アクセプター)濃度に対してSi(ドナー)濃度が高い方が輝度が高い。

Claim (excerpt)：

Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A,B(0≦x<1)で表され、Aは、Zn,Mgから選ばれた少なくとも1つの元素であり、Bは、Sn、S、O、Si、Geから選ばれた少なくとも1つの元素である蛍光体において、前記Aは、0.002から0.2mol%の範囲にあり、前記Bは、0.003から0.3mol%の範囲にあり、前記Aと前記Bの比が、B/A>1であることを特徴とするGaN蛍光体。

F-Term (12)：

4H001CA04 ,  4H001XA07 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA05 ,  4H001YA08 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA16 ,  4H001YA30 ,  4H001YA32 ,  4H001YA50