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J-GLOBAL ID：200903097871213312

物品の処理方法

Inventor：
クリストファー デビッド ドブソン

About クリストファー デビッド ドブソン


Applicant, Patent owner：
エレクトロテク リミティド

About エレクトロテク リミティド


Agent (1)： 青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136820
Publication number (International publication number)：1995193063
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェハなどの物品内の穴または溝構造を埋めるように物品上に層を形成する方法において、信頼性の高い電気的接触または電気的絶縁を得る。【構成】 層10が半導体ウェハ1上に形成される。この層10は穴または溝構造3の口部が密封されるように構造3の上方を延びている。次いでウェハ1および層10は高圧および高温にさらされ、その結果層10の材料が構造3内に流動せしめられる。
Claim (excerpt)：
物品の処理方法であって、該物品は表面を有し、該表面は表面内に少くとも一つの凹部を有する、物品の処理方法において、該表面の少くとも一部の上に層を形成することを含み、該層は該凹部の上方を延びており、更に、該物品および該層を、該層の一部が該凹部を埋めるように変形せしめられるのに十分な高い圧力および高い温度にさらすことを含む、物品の処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/3205 ,  C23C 14/22 ,  C23C 16/00 ,  C23C 16/44
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-222332
  • 特開平3-225829
  • 特開平4-340713
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