半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001234293
Publication number (International publication number)：2003045890
Application date： Aug. 01, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。

Claim (excerpt)：

凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に、複数の薄膜トランジスタが設けられ、該複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向は、前記基材の湾曲している方向とは異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (13)：

H01L 21/336 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 , G09F 9/30 308 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (15)：

G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 348 C , G09F 9/30 308 A , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 21/268 E , H01L 27/08 331 E , H01L 27/12 B , H01L 29/78 627 D , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 627 G

F-Term (71)：

2H090JA02 , 2H090JA13 , 2H090JB03 , 2H090JC07 , 2H090LA04 , 2H092JA24 , 2H092JA31 , 2H092MA30 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA05 , 5C094DA09 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BG07 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110NN16 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ16 , 5G435AA16 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435EE33 , 5G435EE37 , 5G435GG21 , 5G435KK05 , 5G435KK10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053737 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-193080 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-090356 Applicant：シャープ株式会社

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