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J-GLOBAL ID：200903097901418100

半導体基板の処理方法

Inventor： 長谷川 誠 ,  伊藤 康司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994110991
Publication number (International publication number)：1995321117
Application date： May. 25, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】この発明の目的は、配線形成後、マスクを除去する際、配線にフェンスが形成されることを防止できる半導体基板の処理方法を提供する。【構成】ハロゲンを含む単体もしくは混合ガスプラズマによって金属層(13)をフォトレジスト(14)に従ってエッチングした場合、形成された配線(15)及びフォトレジスト(14)の側壁にハロゲン化合物からなる保護膜(16)が形成される。このハロゲン化合物は還元性が非常に強いため、配線(15)上に残ったフォトレジスト(14)を酸素ガスプラズマによって除去しようとした場合安定な酸化物となり、フェンスとして残ってしまう。そこで、配線(15)上に残ったフォトレジスト(14)を除去する以前に、有機溶剤を用いてハロゲン化合物を除去することにより、マスクを除去する際にフェンスが形成されることを防止できる。

Claim (excerpt)：

ハロゲンを含む単体もしくは混合ガスをプラズマとし、このプラズマにより半導体基板上に形成された金属元素を含む層をマスクに従って、エッチングし所要のパターンを形成する工程と、前記半導体基板上のパターン及びマスクの側壁に形成されたハロゲン化合物を有機系溶剤によって除去する工程とを具備することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 Z