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J-GLOBAL ID：200903097902919537

反射型液晶表示装置

Inventor： 神野 優志
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994306558
Publication number (International publication number)：1996160463
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた反射型液晶表示装置において、反射層を平坦化することにより表示品位を向上する。【構成】 画素電極(17)の下地である第2の層間絶縁層(16)の平坦化を行うことにより反射層を兼ねた画素電極(17)を平坦化する。プロジェクションシステムのライトバルブとして組み込んだ場合、反射光の所定光路外への散乱分が減り、輝度が向上するとともに、画素間での変調光の干渉による輝度及びコントラスト比の低下あるいは加法混色のずれによる色度分布の変化が防がれる。

Claim (excerpt)：

反射層を有した電極配線基板と共通電極を有した透明電極基板が液晶層を挟んで貼り合わされ、表示画素ごとに形成された液晶駆動用の画素容量に信号電圧を印加して液晶の配向を変化させ、前記透明電極基板側から入射した光を前記反射層で反射させ前記液晶層を往復する間に表示画素ごとに変調して前記透明電極基板側から再射出する反射型液晶表示装置において、前記電極配線基板は、絶縁性基板上に、不純物を含有しないチャンネル層及び該チャンネル層の両側端にそれぞれ不純物を含有するソース領域とドレイン領域を含んで島状に形成された多結晶半導体層と、該多結晶半導体層上に形成された第1の絶縁層と、該第1の絶縁層が形成された前記絶縁性基板上に形成され前記チャンネル層の上方に配されたゲート電極を含むゲートラインと、該ゲートライン上に形成された第2の絶縁層と、該第2の絶縁層が形成された前記絶縁性基板上に形成され前記ドレイン領域との接続部を有するドレインラインと、該ドレインラインを覆って全面的に形成され表面が平坦にされた第3の絶縁層と、該第3の絶縁層上に形成され前記ソース領域との接続部を有し前記共通電極及び前記液晶層を規格して前記画素容量を成すとともに前記反射層を兼ねた画素電極とからなることを特徴とする反射型液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505