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J-GLOBAL ID：200903097912356670

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松本 比呂志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038489
Publication number (International publication number)：1993206459
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 形状効果によってドレイン近傍の電界緩和を行い、これにより微細化と電界緩和の両立を図り、U-MOSの一層の高速化のための信頼性確保に寄与できる構造および製造方法を提供する。【構成】 船の喫水線以下の消波装置のような形状をU-MOSのソース・ドレイン領域7の側壁部分に持たせることによってドレイン端での電界緩和を図る。

Claim (excerpt)：

ソース・ドレイン領域の間に、ゲート酸化膜で覆われたゲートポリシリコンを有するMOSFETであって、ゲート酸化膜の底部分は、基板方向に凸状の曲面をなし、ソース・ドレイン領域の底部は、前記ゲート酸化膜の底部の最も基板側に突出した点より上方に位置し、ソース・ドレイン領域の側壁部分は、底に近い深い部分がチャネル側に迫り出し、その上方部分が凹状に湾曲してゲート酸化膜との間にポケットを形成するものであることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-110973
  
• 特開昭62-293774
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253471   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社