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J-GLOBAL ID:200903097915968294
圧電磁器組成物、圧電トランス、圧電トランスインバータ回路、及び圧電磁器組成物の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002369800
Publication number (International publication number):2004203629
Application date: Dec. 20, 2002
Publication date: Jul. 22, 2004
Summary:
【課題】1000°C以下の焼成温度で低温焼結が可能であり、かつ優れた圧電特性と高い耐熱性を有する圧電磁器組成物を提供することである。【解決手段】組成式Pba(ZrbTicMndNbeSbf)O3+δで表される主成分であって、前記組成式中のa,b,c,d,e,fがそれぞれ0.970≦a≦1.030,0.440≦b≦0.520,0.440≦c≦0.520,0.0083≦d≦0.0233,0.0067≦e≦0.0333,0.0033≦f≦0.0333,(但しb+c+d+e+f=1,δ=(2a+4b+4c+2d+5e+5f)×0.5-3)となる値を有する主成分1molに対して、副成分として、CuO,MgO,及びWO3を含有し、前記CuOをgmol、前記MgOをhmol、前記WO3をimolとしたとき,各g,h,iはそれぞれ、0.0041≦g≦0.0819,0.0081≦h≦0.0808,0.0014≦i≦0.0140の範囲で含有してなる圧電磁器組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
組成式Pba(ZrbTicMndNbeSbf)O3+δで表される主成分であって、前記組成式中のa,b,c,d,e,fがそれぞれ
0.970≦a≦1.030
0.440≦b≦0.520
0.440≦c≦0.520
0.0083≦d≦0.0233
0.0067≦e≦0.0333
0.0033≦f≦0.0333
(但しb+c+d+e+f=1,δ=(2a+4b+4c+2d+5e+5f)×0.5-3)
となる値を有する主成分1molに対して、副成分として、CuO,MgO,及びWO3を含有し、前記CuOをgmol、前記MgOをhmol、前記WO3をimolとしたとき,各g,h,iはそれぞれ、
0.0041≦g≦0.0819
0.0081≦h≦0.0808
0.0014≦i≦0.0140
の範囲で含有してなることを特徴とする、圧電磁器組成物。
IPC (5):
C04B35/49
, H01L41/107
, H01L41/187
, H01L41/24
, H02M3/24
FI (6):
C04B35/49 D
, H02M3/24 Y
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101J
, H01L41/08 A
, H01L41/22 A
F-Term (13):
4G031AA03
, 4G031AA05
, 4G031AA09
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA14
, 4G031AA18
, 4G031AA19
, 4G031AA25
, 4G031AA32
, 4G031AA34
, 4G031BA10
, 5H730ZZ19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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圧電セラミックス及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-107137
Applicant:日本セメント株式会社
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特開平1-096973
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