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J-GLOBAL ID：200903097925989605

マスクパターンの形成方法

Inventor： 稗田 泰之 ,  石野 隆 ,  田中 国義 ,  内藤 勝之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998263502
Publication number (International publication number)：2000098588
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】耐エッチング性に優れた微細なパターンを有するマスクパターンを形成すること。【解決手段】基板1上に単分子LB膜からなる超薄膜パターン2を形成し、次に基板1のエッチングに対して単分子LB膜よりも耐エッチング性が高いアモルファス性有機分子膜を真空蒸着し、そのアモルファス性有機分子膜が表面エネルギーの低い基板1の露出面に凝集することを利用することにより、超薄膜パターン2に対してネガ型のパターンを有する耐エッチングパターン3を形成する。

Claim (excerpt)：

被エッチング部材上に超薄膜からなる第1のパターンを形成する工程と、前記被エッチング部材のエッチングに対して前記第1のパターンよりも耐エッチング性が高く、かつ前記第1のパターンに対してポジ型またはネガ型のパターンを有する第2のパターンを前記被エッチング部材上に形成する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 L ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (14)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025DA13 ,  2H025EA07 ,  2H025FA40 ,  2H095BB09 ,  2H095BB10 ,  2H095BB11 ,  2H095BB15 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211214   Applicant：株式会社日立製作所
• 有機薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-011030   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-293242
  
• 特開平4-129271