ポリ(アルキニルチオフェン)類およびそれから作製された電子デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007098066
Publication number (International publication number)：2007281475
Application date： Apr. 04, 2007
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。【解決手段】式(I)の半導体材料を含む電子デバイスである。 (I)(式中、Rは炭化水素またはヘテロ原子含有基であり、nは反復単位の数を表す。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

式(I)の半導体材料を含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (8)：

H01L 51/30 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , C08G 61/12

FI (7)：

H01L29/28 250G , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , C08G61/12

F-Term (50)：

4J032BA04 , 4J032BB01 , 4J032BC03 , 4J032CG01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104GG08 , 4M104GG20 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

モノマー、オリゴマーおよびポリ(3-アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-322784 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-234113 Applicant：シャープ株式会社
ポリ(3-アルキルチオフェン)及び該重合体からなる導電体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-098294 Applicant：新技術事業団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Soluble and processable regioregular poly(3-hexylthiophene) for thin filmfield-effect transistor app

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